2019 Q2 Hynix dia hamoaka fitadidiana fizotran'ny 10nm andiany faharoa

  SK hynix vao haingana dia nanambara fa ny orinasa dia hampitombo ny famokarana nanam-pahaizana 10 nanometer voalohany (izany hoe 1X nm) DRAM famokarana, ary hanomboka hivarotra ny haino aman-jery 10 nanomolo ny andiany faha-10 (fantatra koa hoe 1Y nm) amin'ny tapany faharoa taona. Memory. Ny fandefasana ny fampitana ny teknolojia 10nm dia ahafahan'ny orinasa mampitombo ny famokarana DRAM, amin'ny farany dia mampihena ny vidiny ary miomana amin'ny fahatsiarovana ny andiany manaraka.

Ny vokatra voalohany namboarina tamin'ny alàlan'ny teknolojia SK Hynix 1Y nm dia ho azy ny kaody fitadidiana 8Gb DDR4-3200. Nilaza ny mpanamboatra fa mety hampihena ny haben'ny sakan'ny fitaovana 8Gb DDR4 amin'ny 20% ary mampihena ny fanjifana herinaratra amin'ny 15% raha oharina amin'ireo fitaovana mitovy namboarina tamin'ny alàlan'ny teknolojia fananganana 1X nm. Ankoatr'izay, ny chip ho an'i SK hynix ho avy 8Gb DDR4-3200 dia misy fanatsarana lehibe roa: drafitra famantaranandro 4-phase ary teknolojia fanamafisana Sense.

Na dia manan-danja aza ireo teknolojia ireo na dia amin'ny DDR4 amin'ity taona ity aza dia voalaza fa ny SK hynix dia hampiasa ny fomba fanamboarany 1Y nm hamokarana DDR5, LPDDR5 ary GDDR6 DRAM. Noho izany, ny Hynix dia tsy maintsy manavao ny teknolojia fanodinam-bokatra 10 an'ny famolavolana nanom-potoana ho haingana hanomanana ny ho avy.